要驱动大容量MOSFET需要提供短时瞬间大电流，并在沟道开通后维持合适的栅源电压(10～15V)，如果用普通控制芯片或单片机直接驱动，输出电流不够，输出电压也没有这么高，所以需要驱动器抄。有些控制芯片如UCC28C43自身集成了驱动器，可以直接驱动小容量MOSFET。
MOSFET不需要电流zhidao，是因为沟道开通后，不需要像BJT那样必须维持一个基极电流Ib，但在沟道从关闭到到开通前，必须用瞬态大电流给MOSFET栅极电容充电。
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MOSFET几种典型驱动电路（二）
模拟电路
有一段时间，MOSFET并非模拟电路设计工程师的，因为模拟电路设计重视的性能参数，如晶体管的转导（transconductance）或是电流的驱动力上，MOSFET不如BJT来得适合模拟电路的需求。但是随著MOSFET技术的不断演进，今日的CMOS技术也已经可以符合很多模拟电路的规格需求。再加上MOSFET因为结构的关系，没有BJT的一些致命缺点，如热破坏（thermal runaway）。另外，液晶面板驱动ic厂家排名，MOSFET在线性区的压控电阻特性亦可在集成电路里用来取代。
随著半导体制造技术的进步，对于整合更多功能至单一芯片的需求也跟著大幅提升，此时用MOSFET设计模拟电路的另外一个优点也随之浮现。为了减少在印刷电路板（Printed Circuit Board，PCB）上使用的集成电路数量、减少封装成本与缩小系统的体积，很多原本独立的类比芯片与数位芯片被整合至同一个芯片内。MOSFET原本在数位集成电路上就有很大的竞争优势，在类比集成电路上也大量采用MOSFET之后，把这两种不同功能的电路整合起来的困难度也显著的下降。另外像是某些混合信号电路（Mixed-signal circuits），如类比/数位转换器（Analog-to-Digital Converter，ADC），也得以利用MOSFET技术设计出效能更好的产品。
其中多路转换器开关依次接入产生反电动势的绕组，比较中点模拟器与多路转换器的输出，可以得出两路输出波形相似，幅度不同，交叉点即反电动势过零点。这两路输出通过右边的比较器输出为转子当前的相位信号，决定换向频率(VCO)的增减，换向频率与采样反电势相位比较，落后的换向使误差放大器向环路滤波器充电，从而增大VCO输入。相反，提早换向将会引起环路滤波器上电容放电，使VCO输入减少。利用此锁相环(PLL)技术，获得适当的换向时刻。此外，从RCVCO脚取出的信号是代表电动机速度的电压信号，可用于闭环速度控制。速度的频率信号可由监视VCO的输出来得到，它是锁相环锁定到电机准确的换向频率的信号。
2.2 起动换向技术
换向是由反电势信号采样检出经锁相环控制而完成的，在电机静止及低速运行时，其反电势为零或极低，无法检测，因此必须由其它方法“开环”起动，到产生足够大的反电势方能进入正常换向。
ML4428控制芯片提供了完满的起动换向技术：ML4428内部有一个RUN比较器，RCVCO脚电压信号代表了电动机的速度信号，起动时RCVCO脚电压低于0.6V，RUN比较器输出“开启”起动逻辑电路，“关闭”换向逻辑电路，ML4428将发出6个取样来测定转子位置，并驱动相应的线圈以产生所需转动，这将导致电机加速直到RCVCO脚电压达到0.6V，新会区驱动ic厂家，速度足够高产生被检测的反电势，此时RUN比较器输出关闭起动逻辑电路，允许锁相环电路工作开始，进入正常的换向逻辑工作状态，经检测此时电机速度是电机转速的8%。
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